杨帆配资重大利好刚刚公告！英伟达引爆了一只港股！

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　　英伟达，引爆了一只港股！

　　8月1日，港股英诺赛科股价突然放量拉升，盘中涨幅一度超过60%，市值最高突破640亿港元。截至收盘，英诺赛科股价涨幅收窄至30.91%

　　消息面上，近日，英伟达（NVIDIA）官网更新800V直流电源架构合作商名录，中国氮化镓龙头企业——英诺赛科成为其芯片供应商。有业内人士指出，这意味着英伟达和英诺赛科正式达成深度合作。8月1日晚间，英诺赛科证实，公司已于近日与英伟达达成合作，联合推动800 VDC（800伏直流）电源架构在AI数据中心的规模化落地。

　　值得关注的是，今年5月份，美国的氮化镓（GaN）功率芯片企业纳微半导体宣布与英伟达就下一代800V高压直流供电架构展开合作的消息传开后，股价上涨超280%。

　　放量大涨杨帆配资

　　8月1日盘中，港股英诺赛科直线拉升，股价最高触及72港元/股，涨幅一度达到63.64%。截至收盘，股价上涨30.91%报57.6港元/股，总市值为515亿港元。英诺赛科全天成交额超过42亿港元，较前一个交易日放量超1800%。

　　近日，英伟达（NVIDIA）官网更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科入选为芯片供应商，双方将携手推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用。据了解，英伟达上述项目的芯片供应商还包括：ADI公司、英飞凌、MPS、纳微半导体、安森美、瑞萨电子、罗姆半导体、意法半导体、德州仪器。

　　据英伟达官网介绍，AI工作负载的指数级增长，正在增加数据中心的功率需求。传统的54V机架内配电专为千瓦（KW）-scale机架设计，无法支持即将进入现代AI工厂的兆瓦（MW）-scale机架。从2027年开始，英伟达将率先向800V HVDC数据中心电力基础设施过渡，以支持1MW及以上的IT机架。英伟达正在与数据中心能源生态系统合作，研究实现这一概念所需的创新和变革。

　　8月1日晚间，英诺赛科在港交所公告称，公司已于近日与全球AI技术领导者NVIDIA（英伟达）达成合作，联合推动800 VDC（800伏直流）电源架构在AI数据中心的规模化落地。该架构是英伟达针对未来高效供电兆瓦级计算基础设施而专门设计的新一代电源系统，相比传统54V电源，在系统效率、热损耗和可靠性方面具有显著优势，可支持AI算力100-1000倍的提升。

　　英诺赛科表示，公司的第三代GaN器件具备出色的高频、高效率与高功率密度等特性杨帆配资，为英伟达800 VDC架构提供从800V输入到GPU终端，覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案。随着GaN技术与英伟达800 VDC供电架构的融合，未来几年，AI数据中心将实现从千瓦级到兆瓦级的飞跃，开启更高效、更可靠、更环保的AI计算时代。

　　值得关注的是，当地时间7月29日，半导体巨头安森美也对外宣布，公司与英伟达达成合作，加速下一代AI数据中心向800V直流电源解决方案的过渡。据悉，这一转型的核心是一种新型的配电系统，必须在每次电压转换中以最小损耗输送大量电力。安森美表示，其智能电源解决方案是为下一代AI数据中心提供电力供给的最关键一环，可在每个阶段实现高效率、高功率密度的电能转换。

　　此前5月21日，美国功率器件大厂纳微半导体宣布，与英伟达就其下一代800V高压直流供电架构展开合作，以支持为其GPU（例如 Rubin Ultra）供电的“Kyber”机架级系统。据悉，纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。

　　受上述消息影响，5月22日，纳微半导体的股价暴涨164%，为该公司史上最大单日涨幅。随后两个月，纳微半导体的股价继续震荡攀升，最新股价报7.33美元/股，较合作消息披露前上涨超280%。

　　有何来头？

　　公开资料显示，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。2024年12月30日，英诺赛科在香港联合交易所主板挂牌上市。

　　据了解，英诺赛科的氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。

　　今年4月份，英诺赛科披露产品开发进展称，公司发布了自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品，该款产品凭借宽禁带特性，在高压高频场景优势显著，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源汽车、工业以及AI数据中心等领域。该款产品在新能源汽车800V平台，可提升车载充电效率并缩小体积，扩大续航里程并降低成本；在高压母线的AI数据中心架构及工业电源领域，有助于实现数据中心电源高效高密度的转换以及工业电源的小型化和高效化。经公司客户验证，该产品已在中大功率电源方面实现量产，下一步将被应用在新能源汽车、AI数据中心等领域。

　　7月29日，英诺赛科披露，公司与联合汽车电子（联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。据介绍，得益于GaN技术相较于传统硅基功率器件的优势，GaN功率器件在电动汽车、可再生能源系统、人工智能及数据中心电源领域应用广泛。与传统硅相比，采用GaN的转换器和逆变器功率损耗可降低高达10倍，显著提升了效率、功率密度并降低系统成本，实现体积更小、重量更轻的优势，并减少二氧化碳排放。

　　财报数据显示，2024年，英诺赛科的销售收入为8.29亿元，同比增长39.8%，主要是由于市场需求推动产品销售额增加。其中，海外销售收入1.26亿元，同比增长118.1%。2024年，公司净利亏损10.46亿元，上年同期亏损11.02亿元。

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