驰盈配资下一波AI芯片分水岭：三星落后，美光趁虚而入

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合驰盈配资

迟迟未获英伟达认证之际，美光正在加速布局HBM市场。

美光科技正在竞争激烈的高带宽内存（HBM）市场加大投入，凭借近期取得的成果扩大产能，以抢占AI平台推动下不断增长的需求。

在第三财季财报电话会议上，这家美国芯片制造商回应了分析师关于其HBM战略的尖锐问题，重点关注当前生产良率、客户样品出货、认证时间表以及如何扩大规模以实现未来增长。

此前有消息称，美光12层36GB的HBM3E芯片已通过的质量标准并进入量产阶段，该消息引发了市场的高度关注。这一里程碑使美光成为英伟达即将推出的B300 AI加速器的第二家获得下一代HBM3E内存认证的供应商，与韩国的SK海力士一同跻身该“精英阵营”。

美光与SK海力士的进展，让三星电子的处境愈发引人关注——三星的HBM3E芯片尚未获得英伟达的认证。这一延迟引发了业内担忧：三星可能在为下一波AI计算提供动力的关键领域落后于人。

三星进度滞后，美光展现信心

由于三星的HBM芯片迟迟未能获取英伟达认证驰盈配资，分析师向美光追问：如果其竞争对手进一步落后，美光能否提高产能？

美光的回应透露出信心，称其12层HBM3E的产能在产量和芯片良率上，比上一代8层产品的增长速度更快、效率更高。该公司表示，在制造表现、良率提升和客户关系等多个方面都有扎实的执行成果。这种良好势头的关键在于美光采用了先进的1-beta（1ß）DRAM工艺，该工艺既用于HBM3E芯片，也为下一代HBM4芯片提供支持。这一工艺不仅提升了效率，还让美光能够根据需要灵活调整不同产品的产能分配。

为满足日益增长的需求，美光正在扩大后端业务，在新加坡，美光的集成式组装和封装生产线正在建设中。新设施预计2027年投产。与此同时，美光称其2025年的HBM供应量已全部售罄。

美光提前布局，HBM4蓄势待发

随着对AI加速器的需求持续飙升，美光正与客户紧密配合，使内存供应与下一代GPU和ASIC架构相匹配。该公司已开始向多家合作伙伴提供HBM4芯片样品，并表示关于性能和技术规格的早期反馈极为积极。

美光预计，待通过客户认证后，HBM4芯片将于2026年初进入量产阶段。这些芯片将继续采用该公司的TC-NCF堆叠技术以及先进的1b DRAM节点——这一方案旨在保持稳定的良率和生产稳定性。

美光表示，凭借将HBM3E从8层提高到12层的量产经验，公司已做好充分准备，以满足2026年及以后不断增长的客户需求。美光指出，12层高的HBM3E量产进展超出预期，在良率和产出速度上均优于前几代产品。

SK海力士与三星，路径分化

SK海力士在下一代高带宽内存的竞争中稳步推进，其HBM4芯片已于2025年初开始样品测试，量产计划于下半年启动。与美光一样，这家韩国芯片制造商采用成熟的1b DRAM工艺，并依托新建的M15X工厂提供支持。

与此同时，三星则选择了一条更具野心但风险更高的路线。该公司押注其第六代1c DRAM节点，为HBM4的推出提供支撑，量产目标定在2025年末。据《朝鲜日报》报道，三星目前1c DRAM的良率在50%至70%之间。此外，有消息称三星计划从2026年起，在华城和平泽工厂加大1c产能的投入。

然而，三星整体的HBM发展路线图因HBM3E芯片迟迟未获英伟达认证而蒙上阴影——这一延迟引发了业内的担忧。尽管部分分析师认为三星有望在HBM4领域实现赶超，但良率稳定性方面的疑虑引发了新的审视。在美光最近的财报电话会议上，分析师再次追问：如果三星未能跟上进度，美光是否有能力填补供应缺口。

不过，也有投资人表示看好三星的前景。Ninety One Global Strategy Fund亚洲股票基金的联席经理查理·林顿表示，尽管三星的股价表现落后于SK海力士，但一旦三星下一代DRAM芯片投入生产，有望帮助其股价追上同行。今年以来，三星股价上涨了20%，而 SK海力士的股价则飙升了60%。

“目前所有人都对三星持仓不足，” 同时持有SK海力士股票的林顿说道，“我们对此持相对更乐观的态度，部分原因是其估值看起来极具吸引力。”

中国股票在该基金中占比近三分之一。林顿持有的股票，他认为，凭借本土化努力以及快于国内同行的增长速度，北方华创可作为中国半导体实力崛起的代表性企业。

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